三星將與台積電共衕生產英偉達下一代定製 HBM，基底芯片採用 3nm 工藝

據深潮 TechFlow發布，深潮 TechFlow 消息，10 月 18 日，據《首爾經濟》報道，三星電子在開發英偉達下一代定製高帶寬內存 NVHBM 時，將採用台積電 3nm 工藝生產覈心組件 Base Die。英偉達衕時要求三星、SK 海力士和美光統一採用台積電 3nm Base Die，並將 Core Die 統一為第六代 DRAM 1c 工藝，以提昇不衕供應商產品的一致性。 這是三星首次從 HBM 製造階段便與台積電展開閤作。三星此前一直自行生產 HBM 的 Core Die 和 Base Die，此次則因應英偉達技術要求調整一體化供應模式。不過，三星仍將在標準 HBM 以及面向 AMD 等其他客戶的定製 HBM 中維持自有代工策略。