馬斯克或採用FEL技術挑戰EUV光刻機

BiRun 訊，8 月 10 日，SpaceX 近日宣布將與特斯拉閤作，初期投資 168 億美元，在美國得州與建 Terafab 芯片設施。有博客博主發布消息稱，從 Terafab 發布的消息來看，馬斯克似乎要採用「自由電子激光器」(Free Electron Laser, FEL) 技術路綫，以挑戰阿斯麥的 LPP EUV 光源，顛覆傳統 EUV 晶片生產技術的壟斷。馬斯克其後的回應，似乎印証了這種說法，他貼上「FEL FTW」（FEL For The Win）字眼。

從 Terafab 細長的廠房設計和馬斯克的回復可以看出，Terafab 很可能會採用 FEL 技術。儘管馬斯克要搞 FEL 只是一種猜想，但仍引起業界人士熱烈討論。FEL 具備高功率、高相幹、波長可調和，以及更高能效等優勢，理論上可以將光刻光源從 13.5nm、推向 6nm 甚至更短波長。不過，龐大的加速器系統、成本及量產穩定性仍是產業化最大挑戰。（信報）