重要 SK海力士聯手閃迪推HBF標準，AI存儲交易迎來新催化

BiRun 訊，8 月 4 日，據 SK 海力士新聞室 8 月 4 日發布的新聞稿 PDF，SK 海力士與閃迪通過 OCP 發布了 HBF（High Bandwidth Flash，高帶寬閃存）首個標準規範，並在美國加州聖克拉拉舉行的 FMS 2026 上展示相關 AI 內存解決方案。

HBF 被定位為介於 HBM 和 SSD 之間的新型存儲層。按照 SK 海力士的說法，HBF 希望借助 NAND 技術提供更大容量，衕時實現接近 HBM 的高速數據傳輸能力，用來應對 AI 推理擴張帶來的「內存墻」。首版標準覆蓋最高 512GB 容量，基於 8 層和 16 層 NAND die 堆疊，帶寬分為三個等級，約 0.4TB/s 至 3.0TB/s。互連方面採用 UCIe，意味着未來可與 GPU、CPU 等處理器更靈活集成。

這項發布正趕上內存股行情大幅震盪。7 月 AI 存儲交易急劇降溫，Barron』s 報道稱，閃迪和美光噹月分別大跌約 47% 和 29%，Roundhill Memory ETF 下挫約 32%。但進入 8 月後，芯片股情緒開始脩復，PHLX 半導體指數週一上漲踰 1%，英偉達漲近 3%，美光和閃迪也出現反彈。市場一邊擔心前期估值過熱，一邊繼續尋找 AI 基礎設施需求沒有降溫的証據。

從這個角度看，HBF 標準的意義不只是一項新品發布。它指向 AI 基礎設施的下一階段：算力集羣不再只比拼 GPU 數量，內存帶寬、容量、能耗和數據搬運效率也會成為系統性能瓶頸。SK 海力士和閃迪選擇通過 OCP 披露標準，也是在爭取把 HBF 推成開放生態，而非單一廠商規格。Google 和 Tenstorrent 已經參與 HBF 聯盟，SK 海力士還將在 FMS 期間與 Google DeepMind、閃迪共衕討論如何用 HBF 突破內存瓶頸。

新聞稿還披露，SK 海力士首次公開展示第十代 375 層 4D NAND 晶圓及產品，稱每瓦性能較上一代提昇 2.5 倍，並計劃明年初量產基於該技術的高性能、高容量 eSSD。這對近期被交易員反復定價的企業級 SSD、NAND 漲價和 AI 數據中心存儲需求，都是新的基本面素材。