SK海力士加快龍仁半導體集羣建設,已啓動Y1晶圓廠設備採購
BiRun 訊,7 月 14 日,據韓媒 ZDNET 報道,SK 海力士已開始為龍仁半導體集羣首座晶圓廠 Y1 的第一階段潔凈室採購設備,初期計劃新增月產 2 萬片的 1c DRAM 產能。
Y1 原計劃於 2027 年 5 月啓用第一階段潔凈室,現已提前至 2027 年 2 月。公司計劃屆時啓動試生產綫建設,並於 3 月至 4 月進行正式設備安裝,擴大月產 2 萬片的生產能力。
該產綫主要生產第六代 10 納米級 1c DRAM,可用於 AI 相關高附加值 DDR、LPDDR 產品,並計劃應用於最早於 2027 年商業化的 HBM4E。為加快設備導入,SK 海力士還將通常於年末進行的設備售價閤衕談判提前至第三季度初。
SK 海力士正衕步加快龍仁半導體集羣整體建設進度。該項目總投資約 600 萬億韓元,由 4 座晶圓廠組成,第四座晶圓廠完工目標已由 2045 年提前至 2033 年;Y1 第二及第三階段潔凈室預計將於今年下半年開始建設。
Y1 原計劃於 2027 年 5 月啓用第一階段潔凈室,現已提前至 2027 年 2 月。公司計劃屆時啓動試生產綫建設,並於 3 月至 4 月進行正式設備安裝,擴大月產 2 萬片的生產能力。
該產綫主要生產第六代 10 納米級 1c DRAM,可用於 AI 相關高附加值 DDR、LPDDR 產品,並計劃應用於最早於 2027 年商業化的 HBM4E。為加快設備導入,SK 海力士還將通常於年末進行的設備售價閤衕談判提前至第三季度初。
SK 海力士正衕步加快龍仁半導體集羣整體建設進度。該項目總投資約 600 萬億韓元,由 4 座晶圓廠組成,第四座晶圓廠完工目標已由 2045 年提前至 2033 年;Y1 第二及第三階段潔凈室預計將於今年下半年開始建設。
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